HNCJ係列雷電衝擊電壓發(fā)生裝置
現(xiàn)貨供應(yīng) 雷衝擊電壓發(fā)生器 充氣式試驗(yàn)變壓器 匝間衝擊耐壓試驗(yàn)儀產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

聯(lián)係人車高平13608980122/15689901059衝擊電壓發(fā)生器主要用於電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電衝擊電壓全波、雷電衝擊電壓截波和操作衝擊電壓波的衝擊電壓試驗(yàn)，檢驗(yàn)絕緣性能。衝擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過(guò)電壓等衝擊電壓的電源裝置。主要用於絕緣衝擊耐壓及介質(zhì)衝擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。

說(shuō)到測(cè)量長(zhǎng)度大家並不陌生，無(wú)論是裝修房子還是測(cè)量尺寸，很多時(shí)候都會(huì)遇到。通常我們都會(huì)使用米尺或卷尺進(jìn)行測(cè)量，這種傳統(tǒng)的方式耗時(shí)較長(zhǎng)，容易出現(xiàn)誤差。VH-8是世界上款雙向激光測(cè)距儀，與普通激光測(cè)距儀相比，它可以通過(guò)向被測(cè)量區(qū)域的兩端同時(shí)發(fā)射激光束，從而獲得的測(cè)量數(shù)值。VH-8可以從兩端分彆發(fā)射激光束，測(cè)量每束光反射到傳感器所花費(fèi)的時(shí)間。由於采用恒定光源，VH-8可以高精度地計(jì)算出自身與目標(biāo)之間的距離。

衝擊測(cè)試係統(tǒng)係應(yīng)用於諸如電力變壓器、比成器、高壓開關(guān)及電力電纜等高壓器材的衝擊電壓試驗(yàn)。此種測(cè)試係依據(jù)相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)範(fàn)執(zhí)行全波（full）或截?cái)啵╟hopped） 的閃電突波（L.I）

直流電子負(fù)載應(yīng)用領(lǐng)域直流電子負(fù)載通過(guò)模擬實(shí)物負(fù)載和負(fù)載波形，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)電源供應(yīng)器規(guī)格特性的測(cè)試，也可以作為ATE或ATS係統(tǒng)的組成單元，在線對(duì)充電器、蓄電池等的壽命特性及功率電子元器件的參數(shù)特性進(jìn)行測(cè)試。直流電子負(fù)載的應(yīng)用領(lǐng)域主要有：各類直流電源供應(yīng)器（AC/DDC/DC）行業(yè)，如穩(wěn)壓電源、恒流源、開關(guān)電源、模塊電源、電源適配器等。各類電池、蓄電池行業(yè)。電池充電器、充電器等充電器行業(yè)。MOS管、IG、電容器、PFC模塊、整流器等功率電子元器件行業(yè)。
HNCJ-V 雷電衝擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

本部分主要是控製衝擊電壓發(fā)生器的操作，手動(dòng)或自動(dòng)完成充放電過(guò)程，真正實(shí)現(xiàn)智慧化操作。

充電控製功能

係統(tǒng)采用恒流充電。

根據(jù)試驗(yàn)要求，調(diào)節(jié)充電電壓、充電時(shí)間、延時(shí)時(shí)間，能夠手動(dòng)或者自動(dòng)控製電壓發(fā)生器的充電過(guò)程。采用自動(dòng)控製方式充電時(shí)，根據(jù)設(shè)定值，自動(dòng)充電並穩(wěn)定在充電電壓值上，延時(shí)3秒報(bào)警觸發(fā)。充電電壓的重複性和穩(wěn)定度很好。

動(dòng)作控製

本體球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控製調(diào)節(jié)球距大小。本體球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

截波球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控製調(diào)節(jié)球距大小。截波球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

可控製本體自動(dòng)接地、充電極性切換、充電次數(shù)設(shè)定等功能。

手動(dòng)/自動(dòng)控製。

2 觸發(fā)控製

係統(tǒng)能夠手動(dòng)、自動(dòng)或報(bào)警觸發(fā)衝擊電壓發(fā)生器點(diǎn)火。觸發(fā)點(diǎn)火信號(hào)可以立延時(shí)

而如果C的容值越小，對(duì)電路的影響也就越小。但限於目前的測(cè)試係統(tǒng)，C3和串聯(lián)後的電容值是幾個(gè)pF的級(jí)彆，而C1通常是20~30pF，所以儀器對(duì)負(fù)載電容量的影響在10%以上，終會(huì)導(dǎo)致測(cè)量結(jié)果產(chǎn)生幾個(gè)ppm（單位，百萬(wàn)分之一）的頻率偏差，通常電路設(shè)計(jì)對(duì)晶體頻偏的要30ppm左右，所以這個(gè)影響還是不能忽視的。但如果使用頻譜儀，配合近場(chǎng)測(cè)試，因?yàn)閮H在空間上有電磁場(chǎng)的耦合，所以儀器的影響可以忽略。