HNCJ係列雷電衝擊電壓發(fā)生裝置
定製定做 衝擊電壓發(fā)生裝置 交流耐壓試驗裝置 工頻交流耐壓測試儀產(chǎn)品簡介：

聯(lián)係人車高平13608980122/15689901059衝擊電壓發(fā)生器主要用於電力設(shè)備等試品進行雷電衝擊電壓全波、雷電衝擊電壓截波和操作衝擊電壓波的衝擊電壓試驗，檢驗絕緣性能。衝擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過電壓等衝擊電壓的電源裝置。主要用於絕緣衝擊耐壓及介質(zhì)衝擊擊穿、放電等試驗中。

示波器的協(xié)議功能大家都不生疏，你是否有過波形看起來正常，協(xié)議參數(shù)、設(shè)置都正確，卻無法正常的經(jīng)曆呢?本文以UART協(xié)議為例，分享由於波特率漂移導(dǎo)致通信異常的故障排查過程。什麼是波特率漂移呢?可以理解為被測部件晶振有偏差，導(dǎo)致實際波特率和正常的波特率不一致。為什麼波特率漂移會導(dǎo)致通信異常呢?本文從波形出發(fā)，帶你自檢結(jié)果。波特率漂移導(dǎo)致通信異常的故障排查引出這樣一個真實的例子，PC端發(fā)送串口數(shù)據(jù)為“0EE0610320FF0FC0FF0FF”，示波器結(jié)果為“0EE0980F60FC0FF”初步判定通信故障。

衝擊測試係統(tǒng)係應(yīng)用於諸如電力變壓器、比成器、高壓開關(guān)及電力電纜等高壓器材的衝擊電壓試驗。此種測試係依據(jù)相關(guān)的標準規(guī)範執(zhí)行全波（full）或截斷（chopped） 的閃電突波（L.I）

LED日光燈電源發(fā)熱到一定程度會導(dǎo)致燒壞，關(guān)於這個問題，也見到過有人在行業(yè)論壇發(fā)過貼討論過。本文將從芯片發(fā)熱、功率管發(fā)熱、工作頻率降頻、電感或者變壓器的選擇、LED電流大小等方麵討論LED日光燈電源發(fā)熱燒壞MOS管技術(shù)。芯片發(fā)熱本次內(nèi)容主要針對內(nèi)置電源調(diào)製器的高壓驅(qū)動芯片。假如芯片消耗的電流為2mA，300V的電壓加在芯片上麵，芯片的功耗為0.6W，當然會引起芯片的發(fā)熱。驅(qū)動芯片的電流來自於驅(qū)動功率MOS管的消耗，簡單的計算公式為I=cvf（考慮充電的電阻效益，實際I=2cvf，其中c為功率MOS管的cgs電容，v為功率管導(dǎo)通時的gate電壓，所以為了降低芯片的功耗，必須想辦法降低v和f.如果v和f不能改變，那麼請想辦法將芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入額外的功耗。
HNCJ-V 雷電衝擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

本部分主要是控製衝擊電壓發(fā)生器的操作，手動或自動完成充放電過程，真正實現(xiàn)智慧化操作。

充電控製功能

係統(tǒng)采用恒流充電。

根據(jù)試驗要求，調(diào)節(jié)充電電壓、充電時間、延時時間，能夠手動或者自動控製電壓發(fā)生器的充電過程。采用自動控製方式充電時，根據(jù)設(shè)定值，自動充電並穩(wěn)定在充電電壓值上，延時3秒報警觸發(fā)。充電電壓的重複性和穩(wěn)定度很好。

動作控製

本體球距大小能夠自動跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動控製調(diào)節(jié)球距大小。本體球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

截波球距大小能夠自動跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動控製調(diào)節(jié)球距大小。截波球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

可控製本體自動接地、充電極性切換、充電次數(shù)設(shè)定等功能。

手動/自動控製。

2 觸發(fā)控製

係統(tǒng)能夠手動、自動或報警觸發(fā)衝擊電壓發(fā)生器點火。觸發(fā)點火信號可以立延時

什麼是RDMA？RDMA（RemoteDirectMemoryAccess），通俗的說就是遠程的DMA技術(shù)，是為了解決網(wǎng)絡(luò)傳輸中服務(wù)器端數(shù)據(jù)處理的延遲而產(chǎn)生的。傳統(tǒng)模式與RDMA模式工作機製對比如上圖，在傳統(tǒng)模式下，兩臺服務(wù)器上的應(yīng)用之間傳輸數(shù)據(jù)，過程是這樣的：要把數(shù)據(jù)從應(yīng)用緩存拷貝到Kernel中的TCP協(xié)議棧緩存；然後再拷貝到驅(qū)動層；後拷貝到網(wǎng)卡緩存。多次內(nèi)存拷貝需要CPU多次介入，導(dǎo)致處理延時大，達到數(shù)十微秒。