LED日光燈電源發(fā)熱到一定程度會(huì)導(dǎo)致燒壞，關(guān)於這個(gè)問(wèn)題，也見到過(guò)有人在行業(yè)論壇發(fā)過(guò)貼討論過(guò)。本文將從芯片發(fā)熱、功率管發(fā)熱、工作頻率降頻、電感或者變壓器的選擇、LED電流大小等方麵討論LED日光燈電源發(fā)熱燒壞MOS管技術(shù)。芯片發(fā)熱本次內(nèi)容主要針對(duì)內(nèi)置電源調(diào)製器的高壓驅(qū)動(dòng)芯片。假如芯片消耗的電流為2mA，300V的電壓加在芯片上麵，芯片的功耗為0.6W，當(dāng)然會(huì)引起芯片的發(fā)熱。驅(qū)動(dòng)芯片的電流來(lái)自於驅(qū)動(dòng)功率MOS管的消耗，簡(jiǎn)單的計(jì)算公式為I=cvf（考慮充電的電阻效益，實(shí)際I=2cvf，其中c為功率MOS管的cgs電容，v為功率管導(dǎo)通時(shí)的gate電壓，所以為了降低芯片的功耗，必須想辦法降低v和f.如果v和f不能改變，那麼請(qǐng)想辦法將芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入額外的功耗。
HN7080A變壓器綜合測(cè)試係統(tǒng)華能 變壓器綜合測(cè)試臺(tái) 三相變比組彆測(cè)試儀 大量供應(yīng)

兩種操作模式：自動(dòng)模式、按鈕模式，且兩種操作模式自動(dòng)互鎖；

自動(dòng)化程度高，具有一鍵啟動(dòng)可自動(dòng)完成空載試驗(yàn)、負(fù)載試驗(yàn)、變比測(cè)量、直流電阻測(cè)量、工頻試驗(yàn)、感應(yīng)試驗(yàn)；

集成度高、功能齊全，滿足10kV、20kV、35kV、110kV、220kV、330kV、500kV等不同電壓等級(jí)電力變壓器和特種變壓器出廠試驗(yàn)、型式試驗(yàn)、試驗(yàn)；

試驗(yàn)項(xiàng)目：

      空載損耗測(cè)量、空載電流百分比（自動(dòng)換算到額定電壓下數(shù)值）；

      負(fù)載損耗測(cè)量、阻抗電壓百分比（自動(dòng)換算到額定電流參考溫度下數(shù)值）；

      繞組直流電阻快速測(cè)量；

      變比組彆自動(dòng)測(cè)量（電壓比測(cè)量，連接組標(biāo)號(hào)試驗(yàn)）；

      外施耐壓試驗(yàn)（工頻耐壓試驗(yàn)）；

      感應(yīng)耐壓試驗(yàn)（倍頻倍壓試驗(yàn)）；

      絕緣電阻測(cè)量；

      雷電衝擊試驗(yàn)；

      絕緣油試驗(yàn)（擊穿電壓、閃點(diǎn)、酸值、體積電阻率、水分等）；

      局部放電試驗(yàn)；

      溫升試驗(yàn)；

可完成10kV、20kV、35kV、110kV、220kV、330kV、500kV及特種變壓器的出廠試驗(yàn)、型式試驗(yàn)和試驗(yàn)；華能 變壓器綜合測(cè)試臺(tái) 三相變比組彆測(cè)試儀 大量供應(yīng)作為21世紀(jì)具發(fā)展?jié)摿Φ募夹g(shù)之一,RFID技術(shù)的發(fā)展帶來(lái)了巨大的市場(chǎng)價(jià)值。RFID技術(shù)已廣泛的應(yīng)用在了零售業(yè)、物流業(yè)、製造業(yè)等諸多領(lǐng)域。在領(lǐng)域，由於飛機(jī)製造商、零部件供應(yīng)商和公司的通力合作，RFID技術(shù)已經(jīng)滲透到領(lǐng)域供應(yīng)鏈係統(tǒng)的各個(gè)環(huán)節(jié)，但整體上，RFID技術(shù)在領(lǐng)域起步較晚,在我國(guó)領(lǐng)域的應(yīng)用起步更晚。開展領(lǐng)域RFID技術(shù)研究具有重要意義。領(lǐng)域射頻識(shí)彆技術(shù)應(yīng)用布局RFID技術(shù)在領(lǐng)域的應(yīng)用，按大類分，目前主要分為三個(gè)大的方向，包括製造、運(yùn)營(yíng)與維護(hù)、機(jī)場(chǎng)管理等。