LED日光燈電源發(fā)熱到一定程度會導致燒壞，關(guān)於這個問題，也見到過有人在行業(yè)論壇發(fā)過貼討論過。本文將從芯片發(fā)熱、功率管發(fā)熱、工作頻率降頻、電感或者變壓器的選擇、LED電流大小等方麵討論LED日光燈電源發(fā)熱燒壞MOS管技術(shù)。芯片發(fā)熱本次內(nèi)容主要針對內(nèi)置電源調(diào)製器的高壓驅(qū)動芯片。假如芯片消耗的電流為2mA，300V的電壓加在芯片上麵，芯片的功耗為0.6W，當然會引起芯片的發(fā)熱。驅(qū)動芯片的電流來自於驅(qū)動功率MOS管的消耗，簡單的計算公式為I=cvf（考慮充電的電阻效益，實際I=2cvf，其中c為功率MOS管的cgs電容，v為功率管導通時的gate電壓，所以為了降低芯片的功耗，必須想辦法降低v和f.如果v和f不能改變，那麼請想辦法將芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入額外的功耗。
HN7080A變壓器綜合測試係統(tǒng)華能 變壓器溫升試驗裝置 大地網(wǎng)接地電阻測試儀 5年保修

兩種操作模式：自動模式、按鈕模式，且兩種操作模式自動互鎖；

自動化程度高，具有一鍵啟動可自動完成空載試驗、負載試驗、變比測量、直流電阻測量、工頻試驗、感應試驗；

集成度高、功能齊全，滿足10kV、20kV、35kV、110kV、220kV、330kV、500kV等不同電壓等級電力變壓器和特種變壓器出廠試驗、型式試驗、試驗；

試驗項目：

      空載損耗測量、空載電流百分比（自動換算到額定電壓下數(shù)值）；

      負載損耗測量、阻抗電壓百分比（自動換算到額定電流參考溫度下數(shù)值）；

      繞組直流電阻快速測量；

      變比組彆自動測量（電壓比測量，連接組標號試驗）；

      外施耐壓試驗（工頻耐壓試驗）；

      感應耐壓試驗（倍頻倍壓試驗）；

      絕緣電阻測量；

      雷電衝擊試驗；

      絕緣油試驗（擊穿電壓、閃點、酸值、體積電阻率、水分等）；

      局部放電試驗；

      溫升試驗；

可完成10kV、20kV、35kV、110kV、220kV、330kV、500kV及特種變壓器的出廠試驗、型式試驗和試驗；華能 變壓器溫升試驗裝置 大地網(wǎng)接地電阻測試儀 5年保修APD的工作模式分為線性模式和蓋革模式兩種。當APD的偏置電壓低於其雪崩電壓時，對入射光電子起到線性放大作用，這種工作狀態(tài)稱為線性模式。在線性模式下，反向電壓越高，增益就越大。APD對輸入的光電子進行等增益放大後形成連續(xù)電流，獲得帶有時間信息的連續(xù)回波信號。當偏置電壓高於其雪崩電壓時，APD增益迅速增加，此時單個光子吸收即可使探測器輸出電流達到飽和，這種工作狀態(tài)稱為蓋革模式。工作在蓋革模式下的APD又被稱作SPAD。