基於同樣的原因，在電源測量中也應該儘量使用1：1的而不是示波器標配的10：1的。否則示波器的噪聲也會被放大。帶來的噪聲是在在衰減器前麵耦合進來的，因此無論衰減比設置多少，貢獻的噪聲都是一定的。在某些不正確的使用方法下，可能會帶來額外的噪聲，一個典型的例子就是使用長地線。為了方便測試，示波器的的無源通常會使用10cm左右的鱷魚夾形式的長地線，但是這對於電源紋波的測試卻是不適用的，特彆是板上存在開關電源的場合。
HN7030A變壓器絕緣油介質損耗測試儀

用於絕緣油等液體絕緣介質的介質損耗因數(shù)和直流電阻率的測量，內部集成了介損油杯、溫控儀、溫度傳感器、介損測試電橋、交流試驗電源、標準電容器、高阻計、直流高壓源等主要部件。，該儀器應用先進的測控技術,全自動完成升溫、控溫、高速數(shù)據(jù)采樣、運算、顯示、打印及存儲等過程.

技術指標

測 量 範 圍： 電容量       5pF～200pF
              相對電容率   1.000～30.000
              介質損耗因數(shù) 0.00001～100
直流電阻率    2.5 MΩm～20 TΩm
測 量 準 度： 電容量       ±(1%讀數(shù)+0.5pF)
              相對電容率   ±1%讀數(shù)
              介質損耗因數(shù) ±(1%讀數(shù)+0.0001)
              直流電阻率   ±10%讀數(shù)
分  辨   率： 電容量       0.01pF
              相對電容率   0.001
              介質損耗因數(shù) 0.00001
測  溫 範 圍： 0～125℃
溫度測量誤差： ±0.5℃
交流實驗電壓： 500～2200V  連續(xù)可調，頻率50Hz
直流試驗電壓： 0～500V     連續(xù)可調HN7030型 油介質損耗測試儀 變壓器直流電阻測試儀 操作Wasson表示對於TI毫米波雷達來說更有意義的是，其應用的快速擴展已經遠遠超越了常規(guī)的ADAS功能。，其毫米波傳感器內置的數(shù)字處理功能可以過濾噪音，使TI的雷達芯片可以探測非常微小的運動，甚至是人或動物的呼吸，以判斷車內是否有人或動物的存在。Wasson提到“兒童乘坐探測”，很可能將進入歐洲NCAP（新車評價規(guī)程）發(fā)展規(guī)劃。他相信這將為TI雷達傳感器在車身、傳動和車廂內的應用打開大門。Tier1和OEM製造商正在尋求合適的傳感技術來實現(xiàn)這類探測，而雷達傳感器在這方麵優(yōu)勢更明顯。

感謝您選擇了絕緣油介質損耗及體積電阻率測試儀！為方便您儘早儘快地熟練操作本儀器，我們特隨機配備了內容詳實的操作手冊，從中您可以獲取有關產品介紹、使用方法、儀器性能以及**注意事項等諸多方麵的信息。

在次使用儀器之前，請務必仔細閱讀本操作手冊，並按本手冊對儀器進行操作和維護，這會有助於您更好的使用該產品，並且可以延長該儀器的使用壽命。

在編寫本手冊時，雖然我們本著科學和嚴謹?shù)膽B(tài)度進行了工作，並認為本手冊中所提供的信息是正確和可靠的。然而，智者千慮必有一失，本手冊也難免會有錯誤和疏漏之處。如果您發(fā)現(xiàn)了手冊中的錯誤，請務必於百忙之中抽時間，儘快設法告知我們，並煩請監(jiān)督我們迅速改正錯誤！本公司全體職員將不勝感激！儀器結構的不同氣體檢測儀結構較簡單，隻包括(傳感器)及傳感器信號轉換電路部分。而氣體儀不僅在內部裝有(傳感器)而且還有一整套氣路係統(tǒng)，即將樣氣引入到儀器內部，並且再引出儀器放空或回收的全套氣路係統(tǒng)。氣體儀檢測方式不同氣體檢測報警儀利用直接暴露在被測的空氣中或樣氣環(huán)境中進行檢測。而氣體儀是將被測氣體(樣氣)通過方式引入到儀器內部進行測定，然後再引出儀器外放空。氣體檢測儀對測定條件的控製方式不同氣體檢測報警儀不設有樣氣工藝技術條件的調整及控製部分，同時也完全不考慮樣氣存在的環(huán)境條件，直接進行檢測。

本公司保留對儀器使用功能進行改進的權力，如發(fā)現(xiàn)儀器在使用過程中其功能與操作手冊介紹的不一致，請以儀器的實際功能為準。我們希望本儀器能使您的工作變得輕鬆、愉快，願您在繁忙的工作之中體會到辦公自動化的輕鬆而美好的感覺！半導體生產流程由晶圓製造，晶圓測試，芯片封裝和封裝後測試組成，晶圓製造和芯片封裝討論較多，而測試環(huán)節(jié)的相關知識經常被邊緣化，下麵集中介紹集成電路芯片測試的相關內容，主要集中在WAT，CP和FT三個環(huán)節(jié)。集成電路設計、製造、封裝流程示意圖WAT（WaferAcceptanceTest）測試，也叫PCM（ProcessControlMonitoring），對Wafer劃片槽（ScribeLine）測試鍵（TestKey）的測試，通過電性參數(shù)來監(jiān)控各步工藝是否正常和穩(wěn)定，CMOS的電容，電阻，Contact，metalLine等，一般在wafer完成製程前，是Wafer從Fab廠出貨到封測廠的依據(jù)，測試方法是用ProbeCard紮在TestKey的metalPad上，ProbeCard另一端接在WAT測試機臺上，由WATRecipe自動控製測試位置和內容，測完某條TestKey後，ProbeCard會自動移到下一條TestKey，直到整片Wafer測試完成。

注意事項

1.遵守高壓試驗**工作規(guī)程。

2.因儀器內部有高壓及高溫，在工作過程中，禁止打開油杯罩。

3.儀器在使用過程中要可靠接地。

4.要注意儀器使用環(huán)境的清潔。

5.油杯安裝和清洗應嚴格按規(guī)定進行，否則將造成油杯放電，致使儀器無法正常工作。

6.管損壞，必須更換相同規(guī)格管。時間交錯技術可使用多個相同的ADC（文中雖然僅討論了ADC，但所有原理同樣適用於DAC的時間交錯特性），並以比每一個單數(shù)據(jù)轉換器工作采樣速率更高的速率來處理常規(guī)采樣數(shù)據(jù)序列。簡單說來，時間交錯（IL）由時間多路複用M個相同的ADC並聯(lián)陣列組成。如圖1所示。這樣可以得到更高的淨采樣速率fs（采樣周期Ts=1/fs），哪怕陣列中的每一個ADC實際上以較低的速率進行采樣（和轉換），即fs/M。舉例而言，通過交錯四個10位/100MSPSADC，理論上可以實現(xiàn)10位/400MSPSADC。