拉曼光譜技術(shù)在材料科學(xué)研究中的應(yīng)用拉曼光譜在材料科學(xué)中是物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究的有力工具，在相組成界麵、晶界等課題中可以做很多工作。包括：薄膜結(jié)構(gòu)材料拉曼研究：拉曼光譜已成CVD（化學(xué)氣相沉積法）製備薄膜的檢測(cè)和鑒定手段。拉曼可以研究單、多、微和非晶矽結(jié)構(gòu)以及硼化非晶矽、氫化非晶矽、金剛石、類金剛石等層狀薄膜的結(jié)構(gòu)。超晶格材料研究：可通過(guò)測(cè)量超晶格中的應(yīng)變層的拉曼頻移計(jì)算出應(yīng)變層的應(yīng)力，根據(jù)拉曼峰的對(duì)稱性，知道晶格的完整性。

HN7040A絕緣油介電強(qiáng)度測(cè)試儀華能 試油機(jī) 三杯 三通道直流電阻測(cè)試儀

性能特點(diǎn)

1、儀器采用大容量單片機(jī)控製，工作穩(wěn)定可靠；

2、儀器設(shè)有溫濕度及時(shí)鐘顯示功能，並設(shè)有接地功能以提示客戶注意；

3、儀器程序設(shè)有GB1986、GB2002兩種標(biāo)準(zhǔn)方法和自定義操作，能適應(yīng)不同用戶的多種選擇；

技術(shù)指標(biāo)

1. 升壓器容量：1.5kVA

2. 升壓速度：2.0kV/s，2.5 kV/s，3.0 kV/s，3.5 kV/s 四檔任選，誤差 0.2kV/s

3. 輸出電壓：0～100kV（可選）

4. 電壓準(zhǔn)度：±（2%讀數(shù)+2字）

5. 電源畸變率：＜1%

6. 電極間隙：標(biāo)準(zhǔn)2.5 mm

任何一起在使用過(guò)程中都可能操作失誤或者使用方法不當(dāng)，造成測(cè)試數(shù)據(jù)錯(cuò)誤，儀器的保費(fèi)損害，為了增加使用的壽命和儀器的度我們應(yīng)該從使用把關(guān)。不損壞試件材質(zhì)、結(jié)構(gòu)無(wú)損檢測(cè)的特點(diǎn)就是能在不損壞試件材質(zhì)、結(jié)構(gòu)的前提下進(jìn)行檢測(cè)，所以實(shí)施無(wú)損檢測(cè)後，產(chǎn)品的檢查率可以達(dá)到。並不是所有需要測(cè)試的項(xiàng)目和指標(biāo)都能進(jìn)行無(wú)損檢測(cè)，無(wú)損檢測(cè)技術(shù)也有自身的局限性。某些試驗(yàn)隻能采用破壞性試驗(yàn)，在目前無(wú)損檢測(cè)還不能代替破壞性檢測(cè)。
功能鍵操作

   功能鍵共有6個(gè)，屬點(diǎn)動(dòng)鍵，按一下便可回應(yīng)工作。                     

4.１待測(cè)試時(shí)按“測(cè)值”鍵，攪拌、靜置、升壓、打印各功能會(huì)按定的數(shù)值順序而行。

4.２在升壓過(guò)程中按“停止”鍵，就會(huì)停止升壓，數(shù)碼顯示上的數(shù)值就是此時(shí)高壓端的輸出的高壓值。

4.３次升壓油樣擊穿後，聲控提醒連續(xù)“嘀”一短聲20秒，次後“嘀”二短聲，第六次“嘀”，一長(zhǎng)聲一短聲，第七次“嘀”一長(zhǎng)聲二短聲，待平均值顯示完後“嘀”不間斷響20秒，如果不用聲控提醒，按一下聲控鍵就進(jìn)入光控提醒，光控指示燈亮，閃亮次數(shù)同“嘀”響聲次數(shù)一樣，再按聲控鍵無(wú)效，保持光控不變，需再次打開電源時(shí)聲控有效。

4.４測(cè)試完後，如想再查看數(shù)據(jù)時(shí)，按“顯示”“打印”鍵，此兩鍵屬重複使用鍵，按“顯示”鍵一次顯示一次測(cè)試值，直到顯示平均值，重複顯示完畢。按“打印”鍵時(shí)，重複打印電壓值時(shí)間不在打印。在理想狀態(tài)下，當(dāng)被測(cè)煙氣與參比氣濃度一樣時(shí)，其輸出電勢(shì)E值為0mV,但在實(shí)際應(yīng)用中，鋯管實(shí)際條件和現(xiàn)場(chǎng)情況均不是理想狀態(tài)。故事實(shí)上的鋯管是偏離此值的。實(shí)際上，一定氧含量鋯管輸出的電勢(shì)為理論值和本底電勢(shì)的和，我們稱為無(wú)濃差條件下鋯管輸出的電勢(shì)值為本底電勢(shì)或稱為零位電勢(shì)，此值的大小又在不同溫度下呈不同的值，並且隨鋯管使用期延長(zhǎng)而變化。如不對(duì)此情況處理，會(huì)嚴(yán)重影響整套測(cè)氧儀的準(zhǔn)確和壽命。氧化鋯氧量?jī)x主要用於測(cè)量燃燒過(guò)程中煙氣的含氧濃度，同樣也適用於非燃燒氣體氧濃度測(cè)量。

4.５當(dāng)按動(dòng)“複位”鍵時(shí)，顯示為 OCPU 英文字樣表示為複位到位後初始等待狀態(tài)，簡(jiǎn)稱初態(tài)或OCPU狀態(tài)，與在測(cè)試升壓過(guò)程中按“複位”鍵，將不進(jìn)入初態(tài)，同油樣擊穿時(shí)的情況一樣，繼續(xù)運(yùn)行不改變?cè)\(yùn)行狀態(tài)，如連續(xù)再按“複位”鍵此時(shí)確認(rèn)為“複位”轉(zhuǎn)而進(jìn)入初態(tài)。

５. 開機(jī)等待

    置電源開關(guān)於“ON”，本機(jī)進(jìn)入自檢狀態(tài)，打印機(jī)回應(yīng)指示燈亮，顯示屏顯示OCPU字樣，如調(diào)壓器不在零位，顯示DIJJ字樣此表示複位過(guò)程，下降指示燈亮，下降到零位後顯示為OCPU初始等待態(tài)。

華能 試油機(jī) 三杯 三通道直流電阻測(cè)試儀5G技術(shù)的新特性對(duì)承載網(wǎng)絡(luò)提出諸多挑戰(zhàn)性的需求，本文在總結(jié)5G承載網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)變化的基礎(chǔ)上，對(duì)5G前傳、中傳和回傳網(wǎng)絡(luò)可能的技術(shù)解決方案進(jìn)行了，並介紹了5G傳送技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化現(xiàn)狀和發(fā)展方向。5G承載架構(gòu)的變化相對(duì)於4GLTE接入網(wǎng)的BBU和RRU兩級(jí)構(gòu)架，5GRAN將演進(jìn)為CU、DU和AAU3級(jí)結(jié)構(gòu)，相應(yīng)的承載網(wǎng)架構(gòu)可以分解為前傳、中傳和回傳網(wǎng)絡(luò)。5G無(wú)線網(wǎng)、核心網(wǎng)均會(huì)朝著雲(yún)化和數(shù)據(jù)中心化的方向演進(jìn)。CU可以部署在核心層或骨乾彙聚層，用戶麵為了滿足低時(shí)延等業(yè)務(wù)的體驗(yàn)則會(huì)逐步雲(yún)化下移並實(shí)現(xiàn)靈活部署，為了實(shí)現(xiàn)4G/5G/Wi-Fi等多種無(wú)線接入的協(xié)同，的控製麵也會(huì)雲(yún)化集中，之間的協(xié)同流量也會(huì)逐漸增多。