我們可以對(duì)臺(tái)式電源電壓和恒流限製來進(jìn)行配置。電源將會(huì)監(jiān)測(cè)電壓和電流情況。對(duì)於測(cè)量結(jié)果隨時(shí)間的變化，我們可以手動(dòng)收集，也可以用計(jì)算機(jī)來收集。簡(jiǎn)單的程序或應(yīng)用軟件(如BenchVue)可以幫助檢索電源，以便搜集數(shù)據(jù)並繪製圖形。某些新款臺(tái)式電源配有圖形用戶界麵，還可直接使用USB存儲(chǔ)器進(jìn)行記錄。圖2中的示例是超級(jí)電容器在未達(dá)到2.7V的電壓極限之前，以5A的速率進(jìn)行充電的情況。圖2：E36312A正在捕獲一個(gè)100F超級(jí)電容器的充電情況當(dāng)電容器達(dá)到2.7V以後，吸收的電流將會(huì)越來越少。
HN10A互感器特性綜合測(cè)試儀電流互感器測(cè)試儀 CT綜合儀 微型互感器校驗(yàn)儀

功能簡(jiǎn)介：

測(cè)試互感器：PT、CT（保護(hù)類、計(jì)量類）、伏安特性（勵(lì)磁特性）曲線、自動(dòng)給出點(diǎn)值、自動(dòng)給出5%和10%的誤差曲線、變比測(cè)量、比差測(cè)量、相位（角差）測(cè)量、極性判斷、一次通流測(cè)試、交流耐壓測(cè)試、二次負(fù)荷測(cè)試、二次繞組測(cè)試、鐵心退磁等設(shè)計(jì)的多功能現(xiàn)場(chǎng)試驗(yàn)儀器。

技術(shù)參數(shù)：

1、工作電源：AC220V±10% 、50Hz

2、設(shè)備輸出：0～2500Vrms， 5Arms（20A峰值）

3、大電流輸出：0～1000A

4、二次繞組電阻測(cè)量範(fàn)圍：0.1～50Ω

5、二次繞組電阻測(cè)量準(zhǔn)度：≤0.5%、分辨力0.01

6、二次實(shí)際負(fù)荷測(cè)量範(fàn)圍：5～300VA

7、二次實(shí)際負(fù)荷測(cè)量準(zhǔn)度：≤0.5%±0.1VA滾動(dòng)模式滾動(dòng)模式的特點(diǎn)如下：連續(xù)采樣，無采樣間隔，邊采樣邊顯示，無觸發(fā)設(shè)置，波形始終從右往左滾動(dòng)顯示。所示。優(yōu)點(diǎn)：采樣無死區(qū)，且實(shí)時(shí)顯示，不會(huì)丟失數(shù)據(jù)。但應(yīng)注意到，采樣率過低也會(huì)導(dǎo)致采到的數(shù)據(jù)冇有意義，所以選擇深存儲(chǔ)示波器是至關(guān)重要的，深存儲(chǔ)波形不失真，重建。缺點(diǎn)：波形無法穩(wěn)定顯示，冇有觸發(fā)的概念，不能自動(dòng)識(shí)彆低概率信號(hào)。小提示：為什麼滾動(dòng)模式下，波形是從右往左滾動(dòng)顯示的呢？因?yàn)閅T模式定義的時(shí)間軸是左負(fù)右正（左側(cè)為舊數(shù)據(jù)右側(cè)為新數(shù)據(jù)），那麼新采集的數(shù)據(jù)必然是從右側(cè)增加，舊的數(shù)據(jù)則從左側(cè)移出屏外，所以就形成了從右往左滾動(dòng)顯示。

軟件使用說明 

11.1 將配套光盤放入計(jì)算機(jī)光驅(qū)中，解壓“軟件”至C盤根目錄。

11.2，安裝“wic_x86_chs.exe”文件，其次，安裝“dotNetFx40_Full_x86_x64.exe”軟件，默認(rèn)安裝地址即可。

11.3安裝完畢後，打開“伏安特性”文件夾，選擇打開“VATeXing.exe”操作軟件，如圖38即為上位機(jī)操作軟件。

11.4在“VATeXing.exe”操作軟件中，下方選擇互感器種類“CT”或“PT”，應(yīng)用語言“中文”或“英文”。

11.5如需生成報(bào)告格式文件，必須載入試驗(yàn)結(jié)果數(shù)據(jù)，具體操作方法如下：

a）、將存儲(chǔ)試驗(yàn)數(shù)據(jù)的U盤連接至計(jì)算機(jī)。

b）、在圖38中選擇打開“選擇文件”，出現(xiàn)圖39操作窗口，在圖39中可根據(jù)需要載入所需文件。

c）、試驗(yàn)結(jié)果數(shù)據(jù)說明：以“A”為開頭的數(shù)據(jù)為勵(lì)磁特性結(jié)果數(shù)據(jù)，以“B”為開頭的數(shù)據(jù)為變比極性結(jié)果數(shù)據(jù)，以“C”為開頭的數(shù)據(jù)為負(fù)荷結(jié)果數(shù)據(jù)，以“D”為開頭的數(shù)據(jù)為直阻結(jié)果數(shù)據(jù)。以“E”為開頭的數(shù)據(jù)為角差比差結(jié)果數(shù)據(jù)，以“T”為開頭的數(shù)據(jù)為暫態(tài)結(jié)果數(shù)據(jù)。

11.6 載入數(shù)據(jù)結(jié)束後，選擇“確定”出現(xiàn)圖40界麵，在此界麵右上方設(shè)置相應(yīng)參數(shù)後，選擇“生成誤差曲線”則完成所有試驗(yàn)結(jié)果的載入。

11.7 載入完成後，可根據(jù)需要選擇“保存”或打印結(jié)果數(shù)據(jù)。

11.8  選擇“保存”選項(xiàng)，則以WORD的形式顯示結(jié)果如圖41。

11.9  如需繼續(xù)加載試驗(yàn)結(jié)果數(shù)據(jù)，請(qǐng)先上次載入的數(shù)據(jù)。

此類紅外熱像儀不需要製冷，且成本比量子探測(cè)器紅外熱像儀低。製冷型量子探測(cè)器采用銻化銦(InSb)、銦鎵砷(InGaAs)或應(yīng)變超晶格製成。這類探測(cè)器為光電探測(cè)器，即光子撞擊像素點(diǎn)，轉(zhuǎn)化為可存儲(chǔ)於積分電容器的電子。像素采用的電子快門，通過斷開或短路積分電容器來控製快門。量子探測(cè)器在本質(zhì)上比微測(cè)輻射熱計(jì)的速度要快，主要原因是微測(cè)輻射熱計(jì)必須要改變溫度。與改變像素溫度相反的是，量子探測(cè)器是將能量加到半導(dǎo)體中的電子裡，提至高於進(jìn)入導(dǎo)電帶的探測(cè)器能量帶隙，根據(jù)探測(cè)器的不同設(shè)計(jì)，可以測(cè)量為探測(cè)器電壓或電流的變化。

HN12A變頻式互感器綜合儀（CT/PT儀）

功能簡(jiǎn)介：

1 勵(lì)磁特性試驗(yàn)

2 變比試驗(yàn)

3 相位和極性試驗(yàn)

4 CT一次電流及負(fù)荷時(shí)的比差、角差測(cè)量

5 CT二次繞組電阻測(cè)量

6 CT二次回路負(fù)荷測(cè)量

7 CT暫態(tài)特性測(cè)試與

8 CT升流試驗(yàn)

9 測(cè)量校核型號(hào)的CT、PT，包括保護(hù)CT、計(jì)量CT、TP級(jí)暫態(tài)CT、勵(lì)磁飽和電壓達(dá)到40KV的CT、變壓器套管CT、各電壓級(jí)PT等.

10 點(diǎn)電壓/電流、10%(5%)誤差曲線、準(zhǔn)確限值係數(shù)、儀表保安係數(shù)、二次時(shí)間常數(shù)、剩磁係數(shù)、準(zhǔn)確級(jí)、飽和和不飽和電感等CT、PT參數(shù)的測(cè)量.

自動(dòng)給出點(diǎn)電壓/電流、 10％誤差曲線、 5％誤差曲線、準(zhǔn)確限值係數(shù)（ALF）、 儀表保安係數(shù)（FS）、 二次時(shí)間常數(shù)(Ts)、剩磁係數(shù)(Kr)、準(zhǔn)確級(jí)、飽和和不飽和電感等參數(shù)。

技術(shù)參數(shù)：

輸出電壓：0~180V (RMS)
■ 輸出電流：0~12A，峰值36A
■ 電壓測(cè)量：準(zhǔn)確度 ±0.1%
■ CT變比測(cè)量範(fàn)圍：1~30000
■ PT變比測(cè)量範(fàn)圍：1~30000電流互感器測(cè)試儀 CT綜合儀 微型互感器校驗(yàn)儀差模乾擾在兩根信號(hào)線之間傳輸，屬於對(duì)稱性乾擾。2乾擾的產(chǎn)生在儀表係統(tǒng)中，常用的信號(hào)製是4～20mADC或1～5VDC。被測(cè)量量先被轉(zhuǎn)換成毫安或毫伏信號(hào)，由於二次儀表距離現(xiàn)場(chǎng)較遠(yuǎn)，傳輸?shù)娇匮u係統(tǒng)處的，除了有用的信號(hào)外，經(jīng)常還有一些與測(cè)量信號(hào)無關(guān)的電壓或電流存在，這就是乾擾。乾擾形成有3個(gè)環(huán)節(jié)：乾擾源；對(duì)乾擾敏感的接收電路；乾擾的傳輸途徑。切斷任何一個(gè)環(huán)節(jié)就會(huì)消除乾擾。乾擾的主要引入方式有以下幾種。